The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[17p-P8-1~24] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

Sat. Mar 17, 2018 1:30 PM - 3:30 PM P8 (P)

1:30 PM - 3:30 PM

[17p-P8-12] Characterization of physically defined p-channel silicon double quantum dots

〇(M1)Mizuki Kobayashi1, Egle Tylaite1, Naoki Shimatani1, Yu Yamaoka1, Tetsuo Kodera1 (1.Tokyo Tech)

Keywords:Silicon quantum dots, Quantum bits, Quantum computer

p型シリコン量子ドットを用いたスピン量子ビットは、長いコヒーレンス時間を持ち、スピン軌道相互作用によるスピン操作が可能で、従来の半導体デバイス製造技術との整合性が高いため、注目を集めている。本研究では、p型シリコン二重量子ドットを作製し、その特性評価として、直流および高周波を用いて行った。直流測定ではスピンブロッケード状態が得られ、高周波反射測定では共振によるインピーダンスマッチングが得られた。