[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [17p-P8-12] 物理的に形成したp型シリコン二重量子ドットの特性評価

〇(M1)小林 瑞基¹、Tylaite Egle¹、島谷 直樹¹、山岡 裕¹、小寺 哲夫¹ (1.東京工業大学)

キーワード：シリコン量子ドット、量子ビット、量子コンピュータ

p型シリコン量子ドットを用いたスピン量子ビットは、長いコヒーレンス時間を持ち、スピン軌道相互作用によるスピン操作が可能で、従来の半導体デバイス製造技術との整合性が高いため、注目を集めている。本研究では、p型シリコン二重量子ドットを作製し、その特性評価として、直流および高周波を用いて行った。直流測定ではスピンブロッケード状態が得られ、高周波反射測定では共振によるインピーダンスマッチングが得られた。