[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

[17p-P8-2] スパッタエピタキシー法を用いたSi/SiGe高正孔移動度トランジスタ​

〇(M1)野崎 翔太¹、塚本 貴広¹、笠松 章史²、松井 敏明²、広瀬 信光²、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.情報通信研究機構)

キーワード：半導体、デバイス