[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

[17p-P8-20] 1Xnm 世代のNAND 型フラッシュメモリにおけるRTN によるデータ保持不良/回復現象への影響

〇溝口 恭史¹、高橋 知紀¹、竹内 健¹ (1.中大理工)

キーワード：NAND型フラッシュメモリ、ランダムテレグラフノイズ