[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

[17p-P8-8] GaAsSb/InGaAs バックワードダイオードによるマイクロ波帯検波の理論解析

〇須原 理彦¹、山下 晋平²、田中 翔馬²、熊谷 翔²、石黒 裕也¹、浅川 澄人³、河口 研一^4,5、高橋 剛^4,5、佐藤 優^4,5、岡本 直哉^4,5 (1.首都大院理工、2.首都大・都市教養、3.都立産技高専、4.富士通、5.富士通研)

キーワード：バックワードダイオード、GaAsSb/InGaAs、電圧検波感度

p-GaAsSb / n-InGaAs逆方向ダイオード（BWD）の電流 - 電圧（I-V）特性をモデル化し、電流 - 電圧特性の実測値を解析した。 BWDのキャパシタンス成分も、測定されたSパラメータから評価した。 I-V特性とキャパシタンスを用いて電圧検出感度を解析した。 例えば、2マイクロメートルのメサ直径のBWDについては、電圧感度において10の7乗が予測される。