[18a-B203-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[18a-B203-10] 長尺面発光レーザ増幅器による高出力・高ビーム品質動作

〇許 在旭¹、志村 京亮¹、顧 暁冬¹、中濵 正統¹、松谷 晃宏²、小山 二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

キーワード：面発光レーザ、半導体光増幅器

高出力半導体レーザの直接利用は次世代レーザ加工技術として大きな注目を集めている．我々は高出力化と高ビーム品質化を同時に達成するために，面発光レーザ(VCSEL)と半導体光増幅器(SOA)の横方向集積構造を提案し実証した．また単体のVCSEL増幅器では250mW以上の出力を達成した．光出力はデバイス長を長くすることでさらに増加する．今回は増幅自然放出光(ASE)の抑圧構造を用いて長尺VCSEL増幅器を作製し，高出力化を実証したので報告する．