2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18a-B203-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 B203 (53-203)

西山 伸彦(東工大)

09:15 〜 09:30

[18a-B203-2] 発熱分布解析と薄膜熱伝導減少効果を取入れたVCSEL熱抵抗解析

三村 正樹1、〇宮本 智之1 (1.東工大未来研)

キーワード:半導体レーザ、熱抵抗、光無線給電

光無線給電には,2次元アレイ化可能な面発光レーザ(VCSEL)の高効率・高出力密度化が重要である.これにはデバイス熱抵抗の高精度設計が必要である.デバイス熱抵抗はデバイス形状と材料熱伝導率から解析できるが,数10 nm厚程度以下の薄膜の熱伝導率は,フォノン不連続性により,バルク値の1/2-1/3程度に低下する.
今回,電流分布解析による発熱領域を取入れたVCSELの熱抵抗の数値解析を行ったので報告する.