2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18a-B203-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 B203 (53-203)

西山 伸彦(東工大)

09:45 〜 10:00

[18a-B203-4] Talbot効果を用いた位相同期面発光レーザアレイに向けた相互注入同期の数値解析

〇(M1)七條 太一1 (1.東工大未来研)

キーワード:半導体レーザ

光無線給電等の応用に向けて,2次元アレイによる高出力化が容易な面発光レーザ(VCSEL)アレイが注目されている.VCSELアレイから高品質ビームを得るには位相同期動作が必要であり,Talbot効果による位相同期構造(Talbot-VCSEL)の実現が期待される.
我々は,基板裏面をTalbot反射鏡とするモノリシック形成可能なTalbot-VCSELの実現を目指している.これまでに,Talbot効果による自己結像シミュレーションやレーザアレイ製作を行ってきたが,動作確認には至っていない.本報告では,より詳細な同期条件の解明に向けて,VCSELの相互注入同期の数値解析を行った.