[18a-B301-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18a-B301-5] sc-DFT法のPHASE/0への実装とそれを用いた半導体バンドギャップの高精度計算

〇濱田 智之¹、山崎 隆浩¹、大野 隆央¹ (1.物材機構)

キーワード：第一原理計算、バンドギャップ、自己相互作用補正

密度汎関数(DFT)法に基づく第一原理計算は、半導体研究に広く用いられているが、DFT電子の非物理的な自己相互作用によりバンドギャップを過小評価する欠点がある。我々は、Hybrid DFT法の交換・相関ポテンシャル（V_xc）をGW法類似のスキームで自己無撞着的に計算するsc-DFT法を第一原理計算プログラムPHASE/0に実装した。各種半導体のバンドギャップを計算した結果、バンドギャップ実測値をGW法と同等の精度でほぼ定量的に再現できることがわかった。