[18a-B301-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18a-B301-6] 第一原理計算を用いたSi/SiO₂における酸素空孔の電子状態予測

〇石川 朋希¹、谷内 覚¹、内 幸彦¹、山本 貴博² (1.旭化成、2.東理大)

キーワード：Si/SiO2、酸素空孔、第一原理計算

本件では、第一原理計算を用いて酸素空孔を含んだSi/ SiO₂の電子状態を予測した。酸素空孔部を十分に緩和することで、Siが形成する価電子帯と伝導帯間に欠陥準位は確認できなかった。これはSi-MOSFETの作製において、アニール処理が重要であることを示すと推測している。