[18a-B301-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [18a-B301-8] Siにおける固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーション

〇(M1C)河野 佳代¹、石丸 学¹ (1.九工大工)

キーワード：半導体、分子動力学法、固相エピタキシャル成長

Siの固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーションは、幾つかのグループによって行われているが、多くの研究は10⁴個以下の原子数で、100ns以下の時間スケールである。また、シミュレーションには主に体積一定の条件（NVTアンサンブル）が使用され、圧力一定の条件（NPT）での計算は少ない。本研究では、Si の固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーションを行い、系のサイズやアンサンブルの結晶化に及ぼす影響を調べた。