[18a-B301-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [18a-B301-9] 触媒活性を持つ還元グラフェンによるGe表面の選択エッチングと機構解明

〇平野 智暉¹、中出 和希¹、李 韶賢¹、川合 健太郎¹、山村 和也¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体表面、還元グラフェン、エッチング

還元グラフェンのフレークを単一レベルでGe表面上に散布し、水中に浸漬した。浸漬後に得られた表面形状をAFMにより観察し、還元グラフェンフレーク直下のGe表面が選択的にエッチングされることを見出した。さらに、このグラフェンアシストエッチングの基礎特性を明らかにした。加えて、これらを基に、加工メカニズムや、エッチング速度を律速する実験パラメータについて考察した。