[18a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-C102-1] 多結晶ZnO薄膜において光電流減衰特性の温度依存性からのバンドエネルギー状態の評価

〇(M1)田崎 克佳^1,2、Suchada Worasawat^1,2、根尾 陽一郎²、畑中 義式¹、三村 秀典² (1.静岡大、2.電研)

キーワード：ZnO薄膜、光伝導効果、拡張指数関数

RFスパッタリング法によるZnO薄膜は、六方晶で単一軸<0001>配向の多結晶膜が得られる。紫外線光伝導特性は長時間の維持電流が流れるが、この光遮断後の減衰特性の温度依存性について研究した。光電流の減衰電流は励起キャリヤーの再結合過程を表し、不均質半導体において拡張指数関数で表わされる。実験的に求めた拡張指数関数の温度依存特性から、励起キャリヤーの再結合活性化エネルギーが求められ、バンドエッジ変調量を見積った。