[18a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-C302-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Measurement of avalanche multiplication in GaN p-n junction diode using sub-bandgap optical absorption due to Franz-Keldysh effect

〇Takuya Maeda¹, Tetsuo Narita², Masakazu Kanechika², Tsutomu Uesugi², Tetsu Kachi³, Tsunenobu Kimoto¹, Masahiro Horita¹, Jun Suda^1,3,4 (1.Kyoto Univ., 2.TOYOTA Central R&D Labs., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN power device, avalanche multiplication, Franz-Keldysh effect

本研究では，サブバンドギャップ光照射下におけるGaN p-n接合ダイオードの光電流について高電圧まで測定を行った．低電圧域ではFranz-Keldysh (FK)効果による光電流で定量的に説明できるが，高電圧域では実験値が計算値を大きく上回った．これは，空乏層内で生じた電子・正孔の衝突イオン化によるアバランシェ増倍が生じたことによると考えられる．発表では，そのアバランシェ増倍係数について詳細な議論を行う．