[18a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-C302-11] Control of plasma-induced damage of n-type GaN treated by multistep ICP-RIE

〇Shinji Yamada^1,2, Hideki Sakurai^1,2,3, Masato Omori¹, Jun Suda^1,3, Yamato Osada², Ryuichiro Kamimura², Tatsuya Oyobiki⁴, Tamotsu Hashizume^1,4, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. ImaSS, 2.ULVAC ISET, 3.Nagoya Univ., 4.Hokkaido Univ. RCIQE)

Keywords:GaN, ICP-RIE

高い絶縁破壊電界強度を持つ窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイス構造の一つに、ドライエッチングによりトレンチ形成したMOS構造の縦型デバイスが考えられるが、エッチングにより誘起される欠陥準位がデバイス特性不良に繋がることが懸念され、低ダメージ化が求められている。今回、高エッチングレートと低ダメージ化を両立させるため、多段エッチングを検討し、その効果をn型GaNを用いたMOS構造にて評価した。