[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-11] 多段ICP-RIEによるn型GaNのエッチングダメージの制御

〇山田 真嗣^1,2、櫻井 秀樹^1,2,3、大森 雅登¹、須田 淳^1,3、長田 大和²、上村 隆一郎²、及木 達矢⁴、橋詰 保^1,4、加地 徹¹ (1.名大　未来材料・システム研究所、2.(株)アルバック半電研、3.名大院工、4.北大量集セ)

キーワード：窒化ガリウム、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング

高い絶縁破壊電界強度を持つ窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイス構造の一つに、ドライエッチングによりトレンチ形成したMOS構造の縦型デバイスが考えられるが、エッチングにより誘起される欠陥準位がデバイス特性不良に繋がることが懸念され、低ダメージ化が求められている。今回、高エッチングレートと低ダメージ化を両立させるため、多段エッチングを検討し、その効果をn型GaNを用いたMOS構造にて評価した。