[18a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-C302-12] Activation of Magnesium in GaN by Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Irradiation

〇Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹, Koji Shiozaki² (1.Hiroshima Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Mg, Activation

本研究では短時間で高温熱処理が可能な大気圧熱プラズマジェット(TPJ)照射によりイオン注入したGaN中のMg不純物活性化熱処理を試みた。
その結果、数秒という極めて短時間でGaNを高温まで加熱することに成功した。また、I-V特性の評価からPN接合が形成されていると考えられ、繰り返し照射を行うことでMgの活性化が促進されていると考えられる結果を得た。