[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-12] 大気圧熱プラズマジェット照射によるGaN中のMgの活性化

〇花房 宏明¹、東 清一郎¹、塩崎 宏司² (1.広大院先端研、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、Mg、活性化

本研究では短時間で高温熱処理が可能な大気圧熱プラズマジェット(TPJ)照射によりイオン注入したGaN中のMg不純物活性化熱処理を試みた。
その結果、数秒という極めて短時間でGaNを高温まで加熱することに成功した。また、I-V特性の評価からPN接合が形成されていると考えられ、繰り返し照射を行うことでMgの活性化が促進されていると考えられる結果を得た。