[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18a-C302-5] 3DAP および LACBED 法による GaN 自立基板上 pn ダイオードのリークの起源調査

〇宇佐美 茂佳¹、菅原 義弘²、姚 永昭²、石川 由加里^2,4、間山 憲仁³、戸田 一也³、安藤 悠人¹、田中 敦之^4,5、永松 謙太郎⁴、久志本 真希¹、出来 真斗⁴、新田 州吾⁴、本田 善央⁴、天野 浩^4,6,7 (1.名大院工、2.JFCC、3.東芝ナノアナリシス、4.未来材料システム研究所、5.物材研、6.赤﨑記念研究センター、7.VBL)

キーワード：3次元アトムプローブ、pnダイオード、LACBED