[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-6] 高い破壊耐量を有する自立GaN基板上p-n接合ダイオード

太田 博¹、林 賢太郎¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、〇三島 友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：GaN、p-nダイオード

p-GaN層のアクセプタ濃度を減少させることでアバランシェ降伏現象が発生する電圧と同等の逆方向電圧でパンチスルー現象を発生させ、降伏時の破壊が生じない可逆性を有するp-nダイオードの試作に成功したので報告する。