[18a-D101-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [18a-D101-8] 硬X線光電子分光法を用いたITO/a-Si界面特性の評価

〇(B)西原 達平¹、小島 拓人¹、肥山 卓矢¹、松村 英樹²、神岡 武文³、大下 裕雄³、安野 聡⁴、廣沢 一郎⁴、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.北陸先端科学技術大学院大学、3.豊田工業大学、4.高輝度光科学研究センター)

キーワード：ヘテロ接合太陽電池、ITO、硬X線光電子分光法

HIT型太陽電池は金属電極とa-Siの間に透明導電膜が挿入され、ITO(Indium-Tin-Oxide)膜がよく用いられている。ITO膜の成膜には安価なスパッタ法(SPT)を用いることが多いが、加速酸素原子の注入によるSiOx層の形成およびa-Si界面の損傷などが懸念される。そこでよりダメージの小さな成膜方法として、RPD(Reactive Plasma Deposition)法という手法が提案されている。本研究ではダメージ抑制を目的として新たに開発された改良型SPTとRPDに関して硬X線光電子分光法を用いてITO/a-Si界面の評価を行った。