[18a-D103-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-D103-4] 原料溶解プロセスにおけるCO発生挙動とCZシリコン単結晶の炭素濃度への影響

〇永井 勇太¹、坪田 寛之¹、松村 尚¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード：シリコン、結晶成長、炭素濃度