[18a-D103-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-D103-9] Si中のCu₄複合体の形成機構

〇白井 光雲¹、藤村 卓巧¹ (1.阪大産研)

キーワード：Cu複合体、形成機構

我々は、シリコン中のCu４個からなる複合体欠陥として新しい構造モデルを提案した。それは対称性の高いCu4の四面体構造である。この構造モデルに基づき、複雑なCu４複合体の形成機構を研究する。困難点は、Cu４は高温で作成されそれを急冷することで安定相として得ているが、T=250°Cくらいでアニールすることで消滅し、さらにT=600°C以上でCu４が再形成するという複雑な熱サイクルを持つことである。この現象を格子空孔、Cu偏析相との相平衡を考えることで説明した。