[18a-E201-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [18a-E201-2] Emission spectral analysis in InGaZnO thin film transistor

〇Kahori Kise¹, Mami N. Fujii¹, Juan Polo Bermundo¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:IGZO, Emission analysis, Impact ionization

近年IGZOに代表される透明酸化物半導体が，次世代のディスプレイを実現するための材料として注目されている．このような素子の長期信頼性を確保するため，劣化メカニズムの解明が不可欠である．これまでに IGZO TFTでインパクトイオン化によるホットキャリアの発生が，チャネルの発光とキンク電流の観測により確認されている．本研究では， IGZO TFTの発光を分光し，ホットキャリア由来とされる発光の物理的な情報を導出することを目的とした．