[18a-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-E201-6] [講演奨励賞受賞記念講演] 全反射硬X線光電子分光法によるアモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の深さ方向分布

〇井手 啓介¹、太田 雅人¹、岸田 陽介¹、片瀬 貴義¹、平松 秀典^1,2、上田 茂典³、雲見 日出也²、細野 秀雄^1,2、神谷 利夫^1,2 (1.東工大フロ研、2.東工大元素、3.物質・材料研究機構)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、光電子分光

a-In-Ga-Zn-O (a-IGZO)は、ワイドギャップ半導体であるにもかかわらず、ギャップ内欠陥の存在により可視光に応答するという問題がある。我々はこれまで、水素化／酸化などの成膜後処理を行ったa-IGZOについて、バルク敏感な硬X線光電子分光 (HAXPES) 測定を行い、差分スペクトルによって欠陥起源の同定が可能なことを報告してきた。本記念講演においてはこれまでの結果と合わせて、全反射角度付近におけるHAXPES測定による非破壊深さ方向分析の結果を報告する。