[18a-E201-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18a-E201-8] Influence of annealing conditions Oxide semiconductoron TFT characteristics and reliability.

〇Kousaku Shimizu¹, Takuya Odakura¹, Toshio Morimoto², Tokuyuki Nakayama², Mana Shiraishi² (1.Nihon University, 2.SUMITOMO METAL MINING CO.,LTD.)

Keywords:Oxide semiconductor, Thin Film Transistor, Reliability

非晶質半導体TFTのNBIS信頼性に対するメカニズムを検討している。アニールを行う際に、基板上下面を反対にした状態でのアニール、およびガラス基板を乗せた状態でのアニールを通常のアニールと比較した結果、トランジスタは、通常のアニールよりも移動度、サブスレッショルドスィングともに大きく改善されることがわかった。また、NBITS信頼性においても高い信頼性が得られることがわかった。