[18a-E201-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [18a-E201-9] Effects of Oxygen Vacancies on the Transfer Characteristics in IGZO TFTs

〇(M1)Yuki Takamori^1,3, Takaaki Morimoto^1,3, Nobuko Fukuda³, Yoshimichi Ohki^1,2 (1.SASE of Waseda Univ., 2.RIMST of Waseda Univ., 3.FLEC of AIST)

Keywords:solution process, XPS, photoluminescence

250 ℃の大気中で焼成した溶液法IGZO TFTのドレイン電流は，7.21 eVの紫外光を照射すると減少し，250 ℃の大気中で熱処理すると回復する。これは，以前報告したGa比率の上昇や焼成温度の低下と同様に，7.21 eVの紫外光の照射が電子散乱をもたらす酸素空孔を増加させ，熱処理は逆に減少させるためであることが，フォトルミネセンスやXPS測定から分かった。