[18a-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-E201-8] 非晶質In-Ga-Zn-O TFTのアニール条件が及ぼすTFT特性、信頼性への影響

〇清水 耕作¹、小田倉 卓也¹、森本 俊夫²、中山 徳行²、白石 真菜² (1.日本大学、2.住友金属鉱山(株）)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、信頼性

非晶質半導体TFTのNBIS信頼性に対するメカニズムを検討している。アニールを行う際に、基板上下面を反対にした状態でのアニール、およびガラス基板を乗せた状態でのアニールを通常のアニールと比較した結果、トランジスタは、通常のアニールよりも移動度、サブスレッショルドスィングともに大きく改善されることがわかった。また、NBITS信頼性においても高い信頼性が得られることがわかった。