[18a-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [18a-E201-9] IGZO TFTの伝達特性に与える酸素空孔の影響

〇(M1)高森 悠圭^1,3、森本 貴明^1,3、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

キーワード：溶液法、XPS、フォトルミネセンス

250 ℃の大気中で焼成した溶液法IGZO TFTのドレイン電流は，7.21 eVの紫外光を照射すると減少し，250 ℃の大気中で熱処理すると回復する。これは，以前報告したGa比率の上昇や焼成温度の低下と同様に，7.21 eVの紫外光の照射が電子散乱をもたらす酸素空孔を増加させ，熱処理は逆に減少させるためであることが，フォトルミネセンスやXPS測定から分かった。