[18a-F206-1~9] 6.2 Carbon-based thin films

△ [18a-F206-2] Monitoring of bias current in heteroepitaxial nucleation process

〇Haruka Hoshino¹, Junya Yaita¹, Takayuki Iwasaki¹, Mutsuko Hatano¹ (1.Tokyo Tech Inst.)

Keywords:diamond, heteroepitaxial growth, bias enhanced nucleation

バイアス促進核形成法による3C-SiC/Si上のダイヤモンドの核形成では、エピタキシャル形成が困難である。よって、本研究では、核形成の際のバイアス電流を観察し、3C-SiC上へのダイヤモンドのエピタキシャル核形成が促進される条件を検討した。