[18a-F206-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18a-F206-3] 異原子導入によるダイヤモンド貫通転位の伝搬抑制

〇大曲 新矢¹、山田 英明¹、坪内 信輝¹、田中 真悟²、茶谷原 昭義¹、梅沢 仁¹、杢野 由明¹ (1.産総研先進パワエレ、2.産総研電池技術RI)

キーワード：ダイヤモンド、転位、不純物

半導体結晶中の貫通転位は，各種デバイス特性の劣化を引き起こすため限りなく低減することが望ましいが，ネッキング法に代表される低転位化技術はダイヤモンドでは確立されていない．基板中の貫通転位はCVD成長中に100%引き継がれるため，その伝搬方向のコントロールが重要である．我々は，原子レベルの不純物を結晶成長時に意図的に導入し，転位の伝搬を制御する新たな試みを提案する．本研究では，熱フィラメントCVD法による単結晶合成技術を基調として，フィラメントワイヤーからの異原子導入効果に着目した．その結果，異原子-転位間の相互作用により，転位密度は1/10以下に減少することを発見した．