[18a-G203-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[18a-G203-3] InGaAsナノシートトランジスタの作製

〇金澤 徹¹、大澤 一斗¹、雨宮 智宏¹、木瀬 信和¹、青沼 遼介¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大工)

キーワード：MOSFET、III-V族化合物半導体、ナノシート

電界効果トランジスタの極微細化・超低消費電力化における障害となる短チャネル効果を抑制するには、立体型マルチゲート構造が有効となる。積層型ナノシートトランジスタは、近年提案された新しい立体型デバイス構造である。今回、高電子移動度材料であるIII-V族化合物半導体をチャネルとし、高濃度ドープされたエピタキシャルソースを有する積層型InGaAsナノシートトランジスタを作製し、特性評価を行った結果について報告する。