[18a-G203-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[18a-G203-4] Smart Cut法を用いたInAs on Insulator構造の作製

〇隅田 圭¹、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東京大工、2.東京大院工)

キーワード：InAs、貼り合わせ、Smart Cut

Smart Cut法はOI (On-Insulator) 構造を作成する為に有望な手法である。本講演では、先行研究よりも高い温度でのイオン注入によるSmart Cut法を用いて、InAs-OI構造を作製できることを示す。また、InAs基板の面方位によりInAsの平坦性が向上することを見出したことを報告する。