[18a-G203-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[18a-G203-9] Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案

〇加藤 公彦¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：トンネルFET、酸化物半導体、IV族半導体

酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた、Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果トランジスタ（TFET）を提案する。積層型の素子構造によりゲートに対して垂直なトンネリングが引き起こされ、高いON電流と急峻なスイッチング特性を実現可能である。また、GeやSiGe技術を活用することで、Si CMOSプラットフォームとの高い親和性や、TFET特性の最適化が見込まれる。