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[18a-G204-6] OMVPE法によりGaNおよびAlNテンプレート上に作製されたAlGaN:Tmの表面構造と光学特性
キーワード:希土類、Tm、AlGaN
我々は、希土類添加窒化物半導体によるデバイスとして応用が期待できる、有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によるTm添加AlGaN(AlGaN:Tm)薄膜の作製に成功している。AlGaN:Tmによって得られるTm3+イオンからの先鋭な青色発光によって、現状のInGaN系青色LEDよりも高色純度な光源への応用が期待できるが、Alの導入によりバンドギャップが広がったことで、GaN上でのLED動作が困難である。そこで、LED構造への応用を目指してAlGaN:Tm層の下層部分をGaN層からAlN層へと変更した。本研究ではOMVPE法によってGaNおよびAlNテンプレート上にそれぞれAlGaN:Tm薄膜を作製し、その表面構造と光学的特性について評価比較を行った。