[18a-G204-1~8] 13.8 光物性・発光デバイス

[18a-G204-6] OMVPE法によりGaNおよびAlNテンプレート上に作製されたAlGaN:Tmの表面構造と光学特性

〇高津 潤一¹、藤 諒健¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：希土類、Tm、AlGaN

我々は、希土類添加窒化物半導体によるデバイスとして応用が期待できる、有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によるTm添加AlGaN(AlGaN:Tm)薄膜の作製に成功している。AlGaN:Tmによって得られるTm³⁺イオンからの先鋭な青色発光によって、現状のInGaN系青色LEDよりも高色純度な光源への応用が期待できるが、Alの導入によりバンドギャップが広がったことで、GaN上でのLED動作が困難である。そこで、LED構造への応用を目指してAlGaN:Tm層の下層部分をGaN層からAlN層へと変更した。本研究ではOMVPE法によってGaNおよびAlNテンプレート上にそれぞれAlGaN:Tm薄膜を作製し、その表面構造と光学的特性について評価比較を行った。