2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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[18p-A202-1~15] デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:40 A202 (54-202)

森 伸也(阪大)、福田 浩一(産総研)、廣木 彰(京都工繊大)、園田 賢一郎(ルネサス)、青木 伸俊(東芝メモリ)

18:00 〜 18:15

[18p-A202-13] 量子ドリフト拡散モデルによるⅢ-Ⅴ族FinFETの短チャネル効果解析

鍾 菁廣1、森 伸也1、廣木 彰2、小田中 紳二3 (1.阪大院工、2.京工大、3.阪大CMC)

キーワード:半導体デバイスシミュレーション、FinFET、短チャネル効果

本講演では, 量子ドリフト拡散(QDD)モデルのHybrid MPI/OpenMP並列化コード(Hi-QHD)を用いた, Si, In0.53Ga0.47As, GaSbをチャネル材料に持つバルクFinFETの短チャネル効果のシミュレーション解析について報告する。短チャネル効果としてサブスレッショルド係数(SS)およびドレイン電界による障壁低下(DIBL)効果のゲート長依存性について調べた。