18:00 〜 18:15
[18p-A202-13] 量子ドリフト拡散モデルによるⅢ-Ⅴ族FinFETの短チャネル効果解析
キーワード:半導体デバイスシミュレーション、FinFET、短チャネル効果
本講演では, 量子ドリフト拡散(QDD)モデルのHybrid MPI/OpenMP並列化コード(Hi-QHD)を用いた, Si, In0.53Ga0.47As, GaSbをチャネル材料に持つバルクFinFETの短チャネル効果のシミュレーション解析について報告する。短チャネル効果としてサブスレッショルド係数(SS)およびドレイン電界による障壁低下(DIBL)効果のゲート長依存性について調べた。