[18p-A202-1~15] デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望

[18p-A202-13] 量子ドリフト拡散モデルによるⅢ-Ⅴ族FinFETの短チャネル効果解析

〇鍾 菁廣¹、森 伸也¹、廣木 彰²、小田中 紳二³ (1.阪大院工、2.京工大、3.阪大CMC)

キーワード：半導体デバイスシミュレーション、FinFET、短チャネル効果

本講演では, 量子ドリフト拡散(QDD)モデルのHybrid MPI/OpenMP並列化コード(Hi-QHD)を用いた, Si, In_0.53Ga_0.47As, GaSbをチャネル材料に持つバルクFinFETの短チャネル効果のシミュレーション解析について報告する。短チャネル効果としてサブスレッショルド係数(SS)およびドレイン電界による障壁低下(DIBL)効果のゲート長依存性について調べた。