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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望

[18p-A202-1~15] デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:40 A202 (54-202)

森伸也(阪大)、福田浩一(産総研)、廣木彰(京都工繊大)、園田賢一郎(ルネサス)、青木伸俊(東芝メモリ)

16:00 〜 16:30

[18p-A202-7] 強誘電体ゲート負性容量トランジスタのデバイスシミュレーション

〇服部淳一¹、福田浩一¹、池上努¹、太田裕之¹、右田真司¹、浅井栄大¹ (1.産総研)

キーワード：負性容量、強誘電体、TCAD