[18p-B201-1~14] 3.15 Silicon photonics

[18p-B201-6] Membrane buried heterostructure InGaAsP Mach-Zehnder Modulator on Si substrate

〇Tatsuro Hiraki^1,2, Takuma Aihara¹, Takuro Fujii^1,2, Koji Takeda^1,2, Tai Tsuchizawa^1,2, Takaaki Kakitsuka^1,2, Hiroshi Fukuda^1,2, Shinji Matsuo^1,2 (1.NTT Device Technology Labs, 2.NTT Nanophotonics Center)

Keywords:Silicon photonics

本研究では、レーザや光増幅器集積に適した高効率Si基板上マッハツェンダ変調器として、埋込みヘテロ構造を用いた薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器を提案、作製した。作製した素子を評価した結果、変調効率(V_πL)は約0.27 Vcmであり、従来の電荷空乏型Si変調器よりも小さなV_πLが確認された。