[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-12] Si基板上へのPbCaS/PbSダブルへテロ構造の作製と光励起レーザ発光特性

〇石田 明広¹、稲葉 翔大¹、橋口 慎太郎¹、秋川 弘樹¹、中嶋 聖介¹ (1.静大工)

キーワード：中赤外線レーザ、光励起レーザ、IV-VI半導体

PbCaS/PbS系光励起ショートキャビティレーザを作製したので、その発光特性について報告する。PbCaS/PbS DH構造をHWE法によりSi(111)基板上へ成長させ、FIB加工によりストライプ幅3μm、ストライプ長25μmのレーザキャビティを形成し、波長1.06μm、スポット径1mm、パルス幅7nsの固体レーザにより励起し、発光特性を測定した。レーザ発光は322K（49℃）まで確認できた。