2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 B203 (53-203)

種村 拓夫(東大)、赤羽 浩一(NICT)

17:00 〜 17:15

[18p-B203-14] 半導体レーザーと半導体光増幅器における雑音特性の統一的理論解析

山田 実

キーワード:半導体レーザー、半導体光増幅器、光雑音

半導体レーザー(SLO)と半導体光増幅器(SOA)は、ほぼ同じ材料と構造を用いている。しかし、動作を理論解析する場合、前者は定在波モデルを用いて、時間変化特性を扱うが、後者は進行波モデルに依るので、時間変化を含む現象の解析が苦手であった。ここでは、時間変化を含む進行波モデルを揺らぎ周波数成分で展開する方法を用いて、半導体レーザーと半導体光増幅器における雑音特性を解析し、その相違を検討した。