[18p-B203-1~17] 3.13 Semiconductor optical devices

[18p-B203-15] Temperature characteristic of highly-stacked quantum dot semiconductor optical amplifier

〇Kouichi Akahane¹, Naoya Yoshida², Yu Fukae², Atsushi Matsumoto¹, Toshimasa Umezawa¹, Hideyuki Sotobayashi², Naokatsu Yamamoto¹ (1.NICT, 2.AGU)

Keywords:quantum dot, semiconductor optical amplifier, strain compensation

InP基板上に形成された自己組織化InAs量子ドットは1550nm帯で発光するため、光ファイバ通信用の半導体レーザや半導体光増幅器の性能を向上できると期待されている。これまでに我々はInP(311)B基板上の自己組織化InAs量子ドットを高密度化する技術として歪補償法による多重積層構造の作製方法を確立し、これを用いた量子ドット半導体光増幅器（QD-SOA）において高利得、高速応答の特性を観測してきた。今回我々はこのQD-SOAの温度特性について評価を行ったのでこれを報告する。