[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-1] チャージポンピング法によるSi/SiO₂界面近傍酸化膜トラップの評価

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静岡大電研)

キーワード：界面近傍酸化膜トラップ、チャージポンピング法、単一トラップ

我々はこれまでにチャージポンピング(CP)法を駆使した体系的な界面トラップ評価法を確立し，真に単一の界面トラップの評価に成功してトラップの本質的な物性を明らかにすると共に，従来のCP理論を根本的に修正した．これらの知見に基づいて，CP法によって界面近傍の酸化膜内トラップ（NIOT）の検出・評価を行い，界面トラップと同様にNIOTも1トラップ当たり2電子状態を有することなどを明らかにした．