[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-6] パルス光伝導法による非破壊界面準位密度測定

〇小野 貴寛¹、川野 達郎¹、葛川 翔太郎¹、松山 浩輝¹、村上 大和²、山本 卓也²、柏木 海人²、小林 一博²、吉岡 昌雄²、橋新 剛²、久保田 弘² (1.熊大院自、2.熊大工)

キーワード：評価、界面、シリコン

非破壊・非接触による光伝導度測定手法であるPPCM(Pulse Photoconductivity Method)を応用し、半導体デバイスの界面準位密度測定手法を考案した。本稿では、界面準位密度測定の測定原理およびN型Si基板上に酸化膜を製膜したサンプルの界面準位密度測定を行った。