2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2018年3月18日(日) 13:00 〜 15:45 B301 (53-301)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、蓮沼 隆(筑波大)

14:45 〜 15:00

[18p-B301-7] TXRF感度向上に及ぼすVPT乾燥痕の影響(2)

大野 力一1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード:金属不純物分析、全反射蛍光X線

前回、フッ酸によるVapor phase treatment (VPT)により、TXRFで金属汚染の感度向上に乾燥痕の総体積が影響していることを報告した。Cuの感度が上がらないのは、Siに電気化学的に吸着して乾燥痕に取り込まれていないと考察した。今回、HCl添加Vaporにより、Cuも感度向上が確認でき、メカニズムを検証した。