[18p-C102-1~16] 6.3 Oxide electronics

[18p-C102-6] Analog resistive change behavior in Ta₂O₅ resistive change device

〇Hisashi SHIMA¹, Makoto TAKAHASHI¹, Yasuhisa NAITOH¹, Hiroyuki AKINAGA¹ (1.AIST)

Keywords:Analog resistive change, Oxide

遷移金属酸化物と電極を接合した構造で見られる不揮発的な抵抗変化現象は、これまで抵抗変化メモリReRAM (Resistive Random Access Memory) への応用に向けた研究開発が精力的に行われてきた。近年では、素子の抵抗値をアナログ的に制御し、その値を重みとしてニューラルネットワークの積和演算に利用することが提唱され、脳内の情報処理を模倣した省電力性に優れた演算処理技術の基本素子としても期待されている。本研究では、Ta₂O₅を用いた抵抗変化素子のアナログ抵抗変化の制御性と電極材料の関係について報告する。