[18p-C302-1~19] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18p-C302-13] Electron transport in wafer-bonded InGaAs/Ge/InGaAs interfaces fabricated by
atomic-diffusion bonding

〇yuki yamada¹, Miyuki Uomoto², Takehito Shimatsu², Masahiro Nada¹, Fumito Nakajima¹, Hideaki Matsuzaki¹ (1.NTT Device Technology Labs., 2.Tohoku Univ.)

Keywords:compound semiconductor, photodiode, wafer bonding

ウエハ接合は異種材料の組み合わせによるデバイス特性の飛躍的な向上に有効な技術として注目されており、接合界面を介した電子や正孔等の少数キャリア輸送特性の理解がデバイス応用には重要である。今回、電子の輸送特性と接合界面近傍の電界の関係を調べることを目的として、接合部の結晶品質劣化が小さい原子拡散接合を用いてフォトダイオード(PD)を作製・評価した結果を報告する。