[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-C302-13] フォトダイオード構造を用いた原子拡散接合InGaAs/Ge/InGaAs界面の
電子輸送特性評価

〇山田 友輝¹、魚本 幸²、島津 武仁²、名田 允洋¹、中島 史人¹、松崎 松崎¹ (1.NTT先端集積デバイス研、2.東北大学)

キーワード：化合物半導体、フォトダイオード、ウエハ接合

ウエハ接合は異種材料の組み合わせによるデバイス特性の飛躍的な向上に有効な技術として注目されており、接合界面を介した電子や正孔等の少数キャリア輸送特性の理解がデバイス応用には重要である。今回、電子の輸送特性と接合界面近傍の電界の関係を調べることを目的として、接合部の結晶品質劣化が小さい原子拡散接合を用いてフォトダイオード(PD)を作製・評価した結果を報告する。