[18p-C302-1~19] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-C302-17] Characterization of Electrical Resistance at Heterointerface of Single-Crystal Ga₂O₃/Polycrystalline SiC Bonded Substrates

〇Chiahung Lin¹, Naoki Hatta², Keita Konishi³, Shinya Watanabe⁴, Akito Kuramata⁴, Kuniaki Yagi², Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT, 2.SICOXS Corp., 3.Tokyo Univ. of Agri. & Tech., 4.Tamura Corp.)

Keywords:Ga2O3, surface-activated-bonding method, single-crystal Ga2O3/polycrystalline SiC bonded substrates

我々は、縦型Ga₂O₃デバイスの放熱性を改善するため、表面活性化ボンディング法で単結晶Ga₂O₃基板を多結晶SiC基板へ直接接合する技術を開発することに成功した。本研究においては、接合界面の電気抵抗値R_iを、実験結果およびデバイスシミュレーションを併用することで、0.06 Ω（比抵抗値2×10^-4 Ω∙cm²）と見積もられた。このR_iは貼り合わせ基板の全体抵抗値の10%弱と小さいことから、本手法はGa₂O₃パワーデバイスを開発する上で有効であると考えられる。