18:15 〜 18:30 [18p-C302-17] 単結晶Ga2O3/多結晶SiC貼り合わせ基板のヘテロ界面電気抵抗評価 〇林 家弘1、八田 直記2、小西 敬太3、渡辺 信也4、倉又 朗人4、八木 邦明2、東脇 正高1 (1.情通機構、2.サイコックス、3.東京農工大院工、4.タムラ製作所)