[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-C302-17] 単結晶Ga₂O₃/多結晶SiC貼り合わせ基板のヘテロ界面電気抵抗評価

〇林 家弘¹、八田 直記²、小西 敬太³、渡辺 信也⁴、倉又 朗人⁴、八木 邦明²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.サイコックス、3.東京農工大院工、4.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、表面活性化ボンディング法、単結晶Ga2O3/多結晶SiC貼り合わせ基板

我々は、縦型Ga₂O₃デバイスの放熱性を改善するため、表面活性化ボンディング法で単結晶Ga₂O₃基板を多結晶SiC基板へ直接接合する技術を開発することに成功した。本研究においては、接合界面の電気抵抗値R_iを、実験結果およびデバイスシミュレーションを併用することで、0.06 Ω（比抵抗値2×10^-4 Ω∙cm²）と見積もられた。このR_iは貼り合わせ基板の全体抵抗値の10%弱と小さいことから、本手法はGa₂O₃パワーデバイスを開発する上で有効であると考えられる。